Hurtigere adgang end browser!
12 relationer: Bipolar transistor, Elektrode, Ensretter, Faststoffysik, Halvleder, Halvlederkomponent, Metal, Ohmsk kontakt, Pn-overgang, Rumladningsområde, Schottky-diode, Transistor.
Bipolar transistor
Billedet viser to silicium transistor-chips (ca. 1*1 mm) i samme hus, der er klippet op, så chipene er synlige. Husnavnet er enten TO39 eller TO5. Stregerne foroven er en millimeterskala. Nutidige siliciumbaserede bipolare transistorer. Oversiden af den bipolare effekt radiofrekvenstransistor BFQ34. Undersiden af den bipolare effekt radiofrekvenstransistor BFQ34. En bipolar transistor (BJT, Bipolar Junction Transistor) er en af flere transistortyper, som er elektriske komponenter indlejret i en mikrochip og pakket ind i et hus med typisk tre tilledninger (også kaldet ben).
Ny!!: Metal-halvleder-overgang og Bipolar transistor · Se mere »
Elektrode
En teslaspoleelektrode. En lynafleder er også en elektrode. Lynaflederen fortsætter nedad højre side af tårnet. En elektrode er en tilledning, som anvendes til at lave en elektrisk forbindelse til en ikke-metallisk del af et elektrisk kredsløb som f.eks.
Ny!!: Metal-halvleder-overgang og Elektrode · Se mere »
Ensretter
En diodebrokobling eller Graetz-kobling er et eksempel på en 1-faset ensretter. Foroven ses den sinusformede vekselspændingskurve foroven før og forneden efter en 1-faset diodebrokobling, men uden udglatning. En ensretter er en elektronisk komponent – eller et elektronisk kredsløb, som kun tillader strømmen at løbe en vej gennem sig.
Ny!!: Metal-halvleder-overgang og Ensretter · Se mere »
Faststoffysik
Faststoffysik (engelsk: solid state physics) er det område af fysikken, som omhandler stoffets makroskopiske, fysiske egenskaber, i den faste tilstandsform, som optræder, når antallet af elementer er stort, og der er stærk interaktionen mellem dem.
Ny!!: Metal-halvleder-overgang og Faststoffysik · Se mere »
Halvleder
hus. Overfladen man ser er ikke silicium, men derimod myriader af små ledningsbaner påført i overfladen (og også i flere underliggende lag adskilt af kvarts) af guld og aluminium. Ledningsbanerne forbinder transistorer, dioder som ligger en smule dybere – typisk under isolerende kvartslag (SiO2) med kvartsfrie øer, hvor banerne her har elektrisk kontakt. Solceller består af en udelt skive. gruppe 13 og 16 (hovedgruppe III og VI) i flere lag, hvilket anvendes ved indlejrede komponenter som f.eks. transistorer, dioder og ledningsbaner. Monokrystallinsk silicium-halvlederstang inden den skæres i skiver med en diamantsav og poleres. Halvledere er materialer, der har en elektrisk ledningsevne, der ligger mellem de ledende materialer og de isolerende.
Ny!!: Metal-halvleder-overgang og Halvleder · Se mere »
Halvlederkomponent
husets hulning. Et integreret kredsløb hvis indpakning er brækket af så man kan se selve halvledermikrochippen på under 1*1 mm med bonding-ledninger nedenfor chippen. Halvlederkomponenter er elektroniske komponenter som benytter elektroniske egenskaber af halvledermaterialer – for det meste silicium.
Ny!!: Metal-halvleder-overgang og Halvlederkomponent · Se mere »
Metal
Metallet gallium. Metal er en fællesbetegnelse for metalliske grundstoffer eller legeringer heraf.
Ny!!: Metal-halvleder-overgang og Metal · Se mere »
Ohmsk kontakt
En ohmsk kontakt eller ohmsk overgang er en ikke-ensrettende-overgang: En elektrisk overgang mellem to ledere, der har en linear strøm-spænding (I-V) kurve som i Ohms lov.
Ny!!: Metal-halvleder-overgang og Ohmsk kontakt · Se mere »
Pn-overgang
En pn-overgang eller np-overgang er en grænseflade mellem to typer af halvledere; p-type og n-type, inden i ét enkelt krystal af halvleder.
Ny!!: Metal-halvleder-overgang og Pn-overgang · Se mere »
Rumladningsområde
Øverst: pn-overgang før ladningsdiffusion.Nederst: Efter ligevægt er opnået. Øverst: Hul- og elektron-koncentrationer i pn-overgangen.Anden fra øverst: Ladningstætheder.Tredje: Elektrisk felt.Nederst: Elektrisk potential. Metal–oxid–halvleder struktur på P-type silicium. Indenfor halvlederfysik er et halvleder spærrelag, rumladningsområde eller en rumladningszone et isolerende område indeni i et elektrisk ledende doteret halvledermateriale, hvor de mobile ladningsbærere er diffunderet væk - eller er blevet elektrostatisk drevet væk af et elektrisk felt.
Ny!!: Metal-halvleder-overgang og Rumladningsområde · Se mere »
Schottky-diode
Diagramsymbol for en Schottky-diode. En silicium (Si)-baseret Schottky-diode er en halvleder-diode med et lavt spændingsfald i lederetningen og en meget kort reverse recovery-tid i forhold til almindelige dioder.
Ny!!: Metal-halvleder-overgang og Schottky-diode · Se mere »
Transistor
Nutidige silicium-baserede transistorer i forskellige huse; fra venstre mod højre: TO-92, TO-18, TO-5/TO-39, TO-220 og TO-202. "TO" står for ''transistor outline''. Ældre germanium-baserede punkt-kontakt transistorer mest med typenumre, der starter med OC. Produktionen af disse foregik med mange manuelle produktionstrin.http://www.thevalvepage.com/trans/manufac/manufac1.htm thevalvepage.com: Manufacture of Junction Transistors, https://web.archive.org/web/20170709132755/http://www.thevalvepage.com/trans/manufac/manufac1.htm backup Effekttransistor i et større hus benævnt TO-3 og med Pro Electron produktkoden BD182. korroderet af salt fra havets skumsprøjt. En transistor er en elektronisk halvlederkomponent til styring af for det meste lave elektriske spændinger og strømme.
Ny!!: Metal-halvleder-overgang og Transistor · Se mere »
Omdirigeringer her:
Metal-halvleder-forbindelse, Metal-halvleder-forbindelser, Metal-halvleder-overgange, Ms-overgang.
