Indholdsfortegnelse
11 relationer: Arbejdscyklus, Bipolar transistor, Datablad, Effekt MOSFET, Elektrisk konduktans, Elektrisk spænding, Halvleder-mikrochip, Insulated-gate bipolar transistor, Kartesisk koordinatsystem, Strøm, Tyristor.
Arbejdscyklus
Arbejdscyklen D er defineret som forholdet mellom pulsens varighed (\tau) og tidsrummet (T) til en rektangulær bølgeform. Arbejdscyklus eller pulsbredde (en. Duty Cycle) er indenfor telekommunikation og elektronik en definition på hvor stor del af periodetiden, noget er aktivt.
Se Safe operating area og Arbejdscyklus
Bipolar transistor
Billedet viser to silicium transistor-chips (ca. 1*1 mm) i samme hus, der er klippet op, så chipene er synlige. Husnavnet er enten TO39 eller TO5. Stregerne foroven er en millimeterskala. Nutidige siliciumbaserede bipolare transistorer. Oversiden af den bipolare effekt radiofrekvenstransistor BFQ34.
Se Safe operating area og Bipolar transistor
Datablad
Et datablad, applikationsblad eller specifikationsblad er et dokument, der dokumenterer et produkt, maskine, komponent (fx en elektronisk komponent), materiale, et delsystem (fx en strømforsyning) eller software i tilstrækkelig detaljer, så en designingeniør kan forstå komponentens rolle i det overordnede system.
Se Safe operating area og Datablad
Effekt MOSFET
En SMD (overflademonteret) effekt MOSFET der kan tåle 45 ampere og 20V. De findes f.eks. på et PC bundkort. |- align.
Se Safe operating area og Effekt MOSFET
Elektrisk konduktans
Elektrisk konduktans (G) er en egenskab for en elektrisk leder, som udtrykker dens evne til at lede elektrisk strøm.
Se Safe operating area og Elektrisk konduktans
Elektrisk spænding
Elektrisk spænding er et udtryk for den energi, som afgives eller optages pr.
Se Safe operating area og Elektrisk spænding
Halvleder-mikrochip
To silicium transistor-chips (ca. 1*1 mm) i samme hus. Husnavnet er enten TO39 eller TO5. Stregerne foroven er en millimeterskala. En NE555-halvleder-mikrochip med chip-tilledninger. Halvlederskiver (eng. ''wafer'') med forskellige diametre af halvlederen silicium med silicium-chips med indlejrede komponenter, før de skilles i enkelt-chips og sættes i hvert deres hus.
Se Safe operating area og Halvleder-mikrochip
Insulated-gate bipolar transistor
IGBT diagramsymbol. En IGBT pakket ind i et hus med skrueterminaler. IGBTen kan klare 3300V og 1200A og er en Mitsubishi CM1200HC-66H. Lodret tværsnit principtegning af en IGBT. En karakteristik af en IGBT. Insulated-gate bipolar transistor (IGBT) er en elektronisk komponent, der kombinerer MOSFET- og bipolar transistor-teknologi.
Se Safe operating area og Insulated-gate bipolar transistor
Kartesisk koordinatsystem
Princippet i et kartesisk koordinatsystem, her vist ved fire forskellige punkter med deres tilhørende koordinatsæt Et kartesisk koordinatsystem er en type af koordinatsystem, som har et retvinklet koordinatsystem.
Se Safe operating area og Kartesisk koordinatsystem
Strøm
Strøm kan henvise til flere artikler.
Se Safe operating area og Strøm
Tyristor
Kredsløbssymbol for en tyristor. En SCR dimensioneret til omkring 100 ampere, 1200 volt monteret på en køleplade – de to små tilledninger er gate trigger ledningerne. En tyristor er en faststof halvlederenhed i et hus med fire lag af vekslende N og P-type materiale.
Se Safe operating area og Tyristor
Også kendt som Hotspot (effekttransistor), Secondary breakdown, Sikkert arbejdsområde, Sikkert driftsområde.