Molekylærstråleepitaksi (forkortet MBE, fra engelsk: Molecular Beam Epitaxy) er en epitaksimetode til tyndfilm-deposition af monokrystaller.
Indholdsfortegnelse
1 forhold: Beryllium.
Beryllium (Be) er et grundstof med atomnummeret 4.
Se Molekylærstråleepitaksi og Beryllium