Ligheder mellem Pn-overgang og Transistor
Pn-overgang og Transistor har 11 ting til fælles (i Unionpedia): Bell Labs, Bipolar transistor, Elektrisk spænding, Felteffekttransistor, Germanium, Halvleder, Halvleder-mikrochip, Integreret kredsløb, Lysdiode, Resistans, Silicium.
Bell Labs
Bell Labs tidligere forskningshovedkvarter Nokia Bell Labs (tidligere Bell Labs eller Bell Telephone Laboratories) har været en af verdens væsentligste forsknings- og udviklingsinstitutioner inden for telekommunikation, elektronik og datalogi.
Bell Labs og Pn-overgang · Bell Labs og Transistor ·
Bipolar transistor
Billedet viser to silicium transistor-chips (ca. 1*1 mm) i samme hus, der er klippet op, så chipene er synlige. Husnavnet er enten TO39 eller TO5. Stregerne foroven er en millimeterskala. Nutidige siliciumbaserede bipolare transistorer. Oversiden af den bipolare effekt radiofrekvenstransistor BFQ34. Undersiden af den bipolare effekt radiofrekvenstransistor BFQ34. En bipolar transistor (BJT, Bipolar Junction Transistor) er en af flere transistortyper, som er elektriske komponenter indlejret i en mikrochip og pakket ind i et hus med typisk tre tilledninger (også kaldet ben).
Bipolar transistor og Pn-overgang · Bipolar transistor og Transistor ·
Elektrisk spænding
Elektrisk spænding er et udtryk for den energi, som afgives eller optages pr.
Elektrisk spænding og Pn-overgang · Elektrisk spænding og Transistor ·
Felteffekttransistor
Transistoren i illustrationen er en JFET med JIS-halvledertypebenævnelsesproduktkoden 2SK170. Kun K170 kan aflæses på det sorte hus TO-92. Effekttransistoren er en effekt MOSFET med Pro Electron produktkoden BUZ24 og transistorens mikrochip er pakket ind et TO-3 hus. En felteffekttransistorer (FET) er en af flere transistortyper, som er elektriske komponenter indlejret i en mikrochip og pakket ind i et hus med typisk tre eller fire tilledninger (også kaldet ben).
Felteffekttransistor og Pn-overgang · Felteffekttransistor og Transistor ·
Germanium
Germanium er det 32. grundstof i det periodiske system, og har det kemiske symbol Ge.
Germanium og Pn-overgang · Germanium og Transistor ·
Halvleder
hus. Overfladen man ser er ikke silicium, men derimod myriader af små ledningsbaner påført i overfladen (og også i flere underliggende lag adskilt af kvarts) af guld og aluminium. Ledningsbanerne forbinder transistorer, dioder som ligger en smule dybere – typisk under isolerende kvartslag (SiO2) med kvartsfrie øer, hvor banerne her har elektrisk kontakt. Solceller består af en udelt skive. gruppe 13 og 16 (hovedgruppe III og VI) i flere lag, hvilket anvendes ved indlejrede komponenter som f.eks. transistorer, dioder og ledningsbaner. Monokrystallinsk silicium-halvlederstang inden den skæres i skiver med en diamantsav og poleres. Halvledere er materialer, der har en elektrisk ledningsevne, der ligger mellem de ledende materialer og de isolerende.
Halvleder og Pn-overgang · Halvleder og Transistor ·
Halvleder-mikrochip
To silicium transistor-chips (ca. 1*1 mm) i samme hus. Husnavnet er enten TO39 eller TO5. Stregerne foroven er en millimeterskala. En NE555-halvleder-mikrochip med chip-tilledninger. Halvlederskiver (eng. ''wafer'') med forskellige diametre af halvlederen silicium med silicium-chips med indlejrede komponenter, før de skilles i enkelt-chips og sættes i hvert deres hus. Overfladen man ser er ikke silicium, men derimod myriader af små ledningsbaner påført i overfladen (og også i flere underliggende lag adskilt af kvarts) af guld og aluminium. Ledningsbanerne forbinder transistorer, dioder som ligger en smule dybere – typisk under isolerende kvartslag (SiO2) med kvartsfrie øer, hvor banerne her har elektrisk kontakt. Solceller består af en udelt skive. gruppe 13 og 16 (hovedgruppe III og VI) i flere lag, hvilket anvendes ved indlejrede komponenter som f.eks. transistorer, dioder og ledningsbaner. Monokrystallinsk silicium-halvlederstang inden den skæres i skiver med en diamantsav og poleres. En halvleder-mikrochip eller halvlederbrik (kortere mikrochip, chip; engelsk: Die) er indenfor halvlederteknologi betegnelsen for selve halvlederkomponenten uden hus.
Halvleder-mikrochip og Pn-overgang · Halvleder-mikrochip og Transistor ·
Integreret kredsløb
UV-lys. Et integreret kredsløb, også kaldet IC (fra eng. integrated circuit) er et elektronisk kredsløb bestående af adskillige komponenter på et lille stykke halvledende materiale fx en mikrochip, der ofte er indbygget i et beskyttende hus, på hvilket forbindelsesterminaler er placeret.
Integreret kredsløb og Pn-overgang · Integreret kredsløb og Transistor ·
Lysdiode
En blå laveffekt-lysdiode set fra siden. Lysdiode-chippen er nede i det højre bens hulning, som også virker som reflektor. Det højre ben fungerer også som køleplade. Billede af laveffekt-lysdioder. Den lilla tonede lysdiode er en infrarød lysdiode. Lysdiodesymbol Et eksempel højeffekt-lysdiode, som kan tåle op til 3W med den rette køling. Udover at lysdiode-chippen skal kunne tåle høj effekt, skal chippen også have en god varmekobling med den underliggende varmeledende metalplade, som igen skal kobles på en køleplade og/eller heat-spreader. Selve lysdiode-chippen (firkantet) i en grøn laveffekt-lysdiode. Lysdiode-chippen er ca. 0,5*0,5 mm, men kan være større eller mindre. De to tynde ultralyd påsvejsede tilledninger er typisk lavet af aluminium. En lysdiode (eng. LED for light-emitting diode), IR-diode eller UV-diode er en ensretterdiode (elektronisk komponent) og en transducer, som omsætter elektrisk energi til et smalt bølgelængdeinterval i et af følgende områder: Infrarødt (NIR, 2006: Fra ca. 7µm), synligt eller nær-ultraviolet (2018: ned til 245nm) lys.
Lysdiode og Pn-overgang · Lysdiode og Transistor ·
Resistans
Resistans måles i enheden ohm, der angives med det græske bogstav Ω (store Omega) Fænomenet resistans, ohmsk modstand eller elektrisk modstand er en egenskab ved elektriske ledere, som forårsager et vist tab af elektrisk energi, i form af varmeudvikling, når man sender en elektrisk strøm igennem dem.
Pn-overgang og Resistans · Resistans og Transistor ·
Silicium
Silicium, på dansk også kaldet kisel, er grundstoffet med atomnummeret 14 og symbolet Si.
Ovenstående liste besvarer følgende spørgsmål
- I hvad der synes Pn-overgang og Transistor
- Hvad de har til fælles Pn-overgang og Transistor
- Ligheder mellem Pn-overgang og Transistor
Sammenligning mellem Pn-overgang og Transistor
Pn-overgang har 41 relationer, mens Transistor har 65. Da de har til fælles 11, den Jaccard indekset er 10.38% = 11 / (41 + 65).
Referencer
Denne artikel viser forholdet mellem Pn-overgang og Transistor. For at få adgang hver artikel, hvorfra oplysningerne blev ekstraheret, kan du besøge: