Indholdsfortegnelse
49 relationer: Aktiv-pixel-sensor, Astabil multivibrator, Billedsensor, Bipolar transistor, Canon EOS 400D, Digitalkamera, Effekt MOSFET, Elektronisk komponent, Elektronisk mikser, EPROM, Fairphone, Fælles drain, Fælles gate, Fælles source, FET, Fetron, Forstærkertrin, Fototransistor, Gate, Germanen, Gilbert-celle, Harmonisk forvrængning, Informationsalderen, JIS-halvledertypebenævnelse, Kapacitetsdiode, Kaskodekobling, Konstantstrømsdiode, Lambda-diode, LDMOS, Memristor, Mikroprocessor, Miller-effekt, MOSFET, Operationsforstærker, Passivering, Pn-overgang, Pro Electron, Rumladningsområde, Safir, Sharp Corporation, Transistor, Vackář-oscillator, Wienbro-oscillator, Wii, 2N7000-familien, 4000-serien, 555 (kreds), 65 nm, 7400-serierne.
Aktiv-pixel-sensor
En aktiv-pixel-sensor (APS) er et integreret kredsløb bestående af en billedsensor med et net af pixel-sensorer (punkt-sensorer), hvor hver pixel indeholder en fotodetektor og en aktiv forstærker.
Se Felteffekttransistor og Aktiv-pixel-sensor
Astabil multivibrator
En astabil multivibrator (forkortelse AMV) er en elektronisk oscillator; et elektronisk kredsløb der leverer elektriske signaler der svinger med en mere eller mindre konstant frekvens: Signalet fra en astabil multivibrator "springer" i et fast tempo mellem to forskellige spændinger – dette signal er langt fra harmonisk eller "en ren tone", og derfor klassificeres den astabile multivibrator som en kiposcillator.
Se Felteffekttransistor og Astabil multivibrator
Billedsensor
En billedsensor eller billedtransducer er en komponent, som omsætter et optisk billede til et elektrisk signal.
Se Felteffekttransistor og Billedsensor
Bipolar transistor
Billedet viser to silicium transistor-chips (ca. 1*1 mm) i samme hus, der er klippet op, så chipene er synlige. Husnavnet er enten TO39 eller TO5. Stregerne foroven er en millimeterskala. Nutidige siliciumbaserede bipolare transistorer. Oversiden af den bipolare effekt radiofrekvenstransistor BFQ34.
Se Felteffekttransistor og Bipolar transistor
Canon EOS 400D
Canon EOS 400D forfra Canon EOS 400D bagfra Canon EOS 400D er et digitalt spejlreflekskamera for nybegyndere som er produceret af Canon.
Se Felteffekttransistor og Canon EOS 400D
Digitalkamera
Fuji A210 kompakt digitalkamera Canon EOS 20D digitalt spejlreflekskamera Adskilt digitalt kamera. Et digitalkamera er et kamera, hvor den lysfølsomme film er skiftet ud med en lysfølsom sensor.
Se Felteffekttransistor og Digitalkamera
Effekt MOSFET
En SMD (overflademonteret) effekt MOSFET der kan tåle 45 ampere og 20V. De findes f.eks. på et PC bundkort. |- align.
Se Felteffekttransistor og Effekt MOSFET
Elektronisk komponent
Forskellige elektroniske komponenter. En elektrisk komponent eller elektronisk komponent er en indretning konstrueret til at have ganske bestemte elektriske egenskaber, som regel "emballeret" i et hus med ydre tilledninger (kaldet "ben").
Se Felteffekttransistor og Elektronisk komponent
Elektronisk mikser
En elektronisk miksers symbol. I elektronikken er en mikser, blandingstrin eller blander et elektronisk kredsløb, der bogstaveligt talt matematisk ganger (blander) 2 indgangssignaler.
Se Felteffekttransistor og Elektronisk mikser
EPROM
Nærbillede af ældre EPROM af typen "2716". Mikrochippen kan ses igennem vinduet, så det er muligt at slette EPROM ved hjælp af ultraviolet stråling. For at undgå muligheden for utilsigtet sletning eller elektrisk fejlfunktion er vinduet normalt dækket med sort klisterbånd eller en sort etiket.
Se Felteffekttransistor og EPROM
Fairphone
Fairphone er en social virksomhed med et mål om at udvikle en smartphone der er designet og produceret med minimal skade på mennesker og natur.
Se Felteffekttransistor og Fairphone
Fælles drain
Fælles drain, også kendt som jordet drain eller sourcefølger, er navnet på et forstærkertrin baseret på en felteffekttransistor.
Se Felteffekttransistor og Fælles drain
Fælles gate
Fælles gate, eller jordet gate, er navnet på et forstærkertrin baseret på en felteffekttransistor.
Se Felteffekttransistor og Fælles gate
Fælles source
Fælles source, eller jordet source, er navnet på et forstærkertrin, baseret på en Felteffekttransistor.
Se Felteffekttransistor og Fælles source
FET
FET er en forkortelse for.
Se Felteffekttransistor og FET
Fetron
En fetron var et udvalg af faststof radiorørssokkel-kompatible erstatninger for elektronrør.
Se Felteffekttransistor og Fetron
Forstærkertrin
Eksempel på et diagram for et forstærkertrin med en bipolar transistor i grundkoblingen fælles emitter. Et forstærkertrin (eng. amplifier stage) er et elektronisk kredsløb, der kun indeholder en aktiv signalforstærkende komponent – f.eks.
Se Felteffekttransistor og Forstærkertrin
Fototransistor
NPN-fototransistor diagramsymbol. Fototransistor (kvadratisk silicium-chip i midten) med basis (Ringstruktur, bonding-metaltråde). Fototransistor En fototransistor er en lysfølsom transistor.
Se Felteffekttransistor og Fototransistor
Gate
Gate er engelsk og betyder på dansk port eller låge og kan hentyde til flere artikler.
Se Felteffekttransistor og Gate
Germanen
Germanen eller germanén er et materiale der er gjort af et enkelt lag af germaniumatomer.
Se Felteffekttransistor og Germanen
Gilbert-celle
Indenfor elektronik er en Gilbert-celle en blander først beskrevet af Barrie Gilbert i 1968.
Se Felteffekttransistor og Gilbert-celle
Harmonisk forvrængning
Harmonisk forvrængning (en. Harmonic distortion) betegner en uønsket egenskab ved en signaltransmission, hvorved harmoniske svingninger tilføjes det oprindelige signal.
Se Felteffekttransistor og Harmonisk forvrængning
Informationsalderen
Årringe på en træstamme, der er markeret for at vise nogle vigtige datoer for informationsalderen (den digitale revolution) fra 1968 til 2017. Informationsalderen (også kendt som computeralderen, den digitale alder eller den nye mediealder) er en tidsalder, der begyndte i slutningen af det 20.
Se Felteffekttransistor og Informationsalderen
JIS-halvledertypebenævnelse
Japanese Industrial Standards (JIS) har standardbenævnelsen JIS-C-7012 for halvlederkomponent typebenævnelser.
Se Felteffekttransistor og JIS-halvledertypebenævnelse
Kapacitetsdiode
Kapacitetsdiode symbol. En kapacitetsdiode (eller varactor-diode) er en halvlederkomponent som har en kondensatorvirkning, der ændres som funktion af spændingen over den.
Se Felteffekttransistor og Kapacitetsdiode
Kaskodekobling
npn bipolare transistorer. Princip af ''N''-kanal kaskode forstærker med resistiv belastning. En kaskodekobling (eller blot kaskode) er i dag en totrinsforstærker bestående af en transkonduktans-forstærker fulgt af en strømbufferforstærker.
Se Felteffekttransistor og Kaskodekobling
Konstantstrømsdiode
Elektrisk symbol for en konstantstrømsdiode. En konstantstrømsdiode er en elektronisk enhed, som begrænser strømmen til en maksimalt specificeret værdi for enheden.
Se Felteffekttransistor og Konstantstrømsdiode
Lambda-diode
En n-channel JFET (øverst) og en p-channel JFET kombineres til at lave lambda-diode kredsløb. Lambda-diode karateristik. En lambda-diode er et elektronisk kredsløb, som kombinerer et komplementært par af felteffekttransistorer i en to-terminal enhed, der udviser et område af negativ differentiel modstand lidt ligesom en tunneldiode.
Se Felteffekttransistor og Lambda-diode
LDMOS
Eksempel på to LDMOS-transistorer i ét hus (produktkode BLF861A). Bemærk de brede tilledninger. Grunden til deres bredde er, at radiofrekvensstrømme kun løber i overfladen af metaller. Så for at minske tilledningsresistansen gøres de så brede som et kompromis mellem resistanstab og pris.
Se Felteffekttransistor og LDMOS
Memristor
Memristor symbol. I elektronik er memristoren et passivt kredsløbselement.
Se Felteffekttransistor og Memristor
Mikroprocessor
En udgave af 6502-mikroprocessoren i den energieffektive CMOS-teknologi med navnet 65'''C'''02 lavet af WDC i 1990'erne. Den oprindelige MOS Technology 6502 blev lavet i NMOS fra 1975 og i hvert fald frem til 1983. En mikroprocessor er den elektroniske komponent, der styrer processerne i et logisk elektronisk kredsløb ved afviklingen af maskinkode-instruktioner.
Se Felteffekttransistor og Mikroprocessor
Miller-effekt
Forstærker med kapacitans mellem input og output. Erstatningsdiagram med den effektive kapacitans over indgangen. Fælles emitter-kobling med Miller-kapacitans mellem kollektor og emitter. Indenfor elektronik er Miller-effekten ansvarlig for øgningen i den ækvivalente input-kapacitans af en inverterende spændingsforstærker grundet forstærkning af virkningen af en kapacitans mellem input og output terminalerne.
Se Felteffekttransistor og Miller-effekt
MOSFET
|- align.
Se Felteffekttransistor og MOSFET
Operationsforstærker
Et typisk symbol for en operationsforstærker, hvor man abstraherer fra interne detaljer. Der kan være flere indgange eller udgange og typisk er der så 2, én i fase (0°, "+") og én i modfase (180°, "-"). Her er et eksempel på en operationsforstærker med flere forstærkertrin.
Se Felteffekttransistor og Operationsforstærker
Passivering
To beslag i rustfrit stål. Den højre er blevet passiveret, mens den venstre ikke er blevet det. Inden for fysisk kemi og ingeniørkundskab dækker passivering over en behandling, der gør et materiale "passivt", hvilket vil sige at de bliver mindre påvirket eller korroderet af det miljø, som materialet befinder sig i.
Se Felteffekttransistor og Passivering
Pn-overgang
En pn-overgang eller np-overgang er en grænseflade mellem to typer af halvledere; p-type og n-type, inden i ét enkelt krystal af halvleder.
Se Felteffekttransistor og Pn-overgang
Pro Electron
Pro Electron er det Europæiske typebenævnelse og registreringssystem for aktive komponenter (såsom halvledere, LCD, sensorer, elektronrør og billedrør).
Se Felteffekttransistor og Pro Electron
Rumladningsområde
Øverst: pn-overgang før ladningsdiffusion.Nederst: Efter ligevægt er opnået. Øverst: Hul- og elektron-koncentrationer i pn-overgangen.Anden fra øverst: Ladningstætheder.Tredje: Elektrisk felt.Nederst: Elektrisk potential. Metal–oxid–halvleder struktur på P-type silicium.
Se Felteffekttransistor og Rumladningsområde
Safir
En safir (σάπφειρος,, blå sten) er et mineral, der ofte anvendes som smykkesten.
Se Felteffekttransistor og Safir
Sharp Corporation
right Sharps hovedsæde i Osaka, Japan. (Osaka SE: 6753, Nagoya SE: 6753) er en japansk multinational virksomhed der designer og fremstiller elektronikprodukter.
Se Felteffekttransistor og Sharp Corporation
Transistor
Nutidige silicium-baserede transistorer i forskellige huse; fra venstre mod højre: TO-92, TO-18, TO-5/TO-39, TO-220 og TO-202. "TO" står for ''transistor outline''. Ældre germanium-baserede punkt-kontakt transistorer mest med typenumre, der starter med OC.
Se Felteffekttransistor og Transistor
Vackář-oscillator
En Vackář-oscillator er en oscillator med variabel frekvens med et bredt justerbart frekvensinterval til anvendelser i fx HF-SHF.
Se Felteffekttransistor og Vackář-oscillator
Wienbro-oscillator
En Wienbro-oscillator er et elektronisk kredsløb der leverer næsten perfekte sinus-formede signaler med en forvrængning på ned til 0,1 %. Kredsløbet er opkaldt efter Max Wien, som udviklede det for Wienbro-oscillatoren karakteristiske filter i 1891.
Se Felteffekttransistor og Wienbro-oscillator
Wii
Wii (udtales som det engelske stedord we (vi)) er den femte videospilkonsol udgivet af Nintendo.
Se Felteffekttransistor og Wii
2N7000-familien
Eksempel på et TO-92 hus som 2N7000 transistorchippen er pakket ind i. Ikke skalatro. Eksempel på et TO-236/SOT23 hus som 2N7002 transistorchippen er pakket ind i. Ikke skalatro. 2N7000-familien er flere enkelt-gate N-kanal enhancement-mode MOSFET, som er bredt anvendelige.
Se Felteffekttransistor og 2N7000-familien
4000-serien
En meget tidlig CD4029 tæller IC, framstillet af RCA. ICens mikrochip er indpakket i keramik. 4000-serien er en familie af industri standard integrerede kredsløb (IC) som implementerer forskellige typer af logiske funktioner ved at anvende CMOS-teknologi (CMOS er kort for eng. Complementary Metal-Oxide Semiconductor) - og som stadig anvendes i dag (2015).
Se Felteffekttransistor og 4000-serien
555 (kreds)
NE555 fra Signetics (Philips), hvor chippen er placeret i et 8-bens plast DIL-hus. centrum af IC-huset. Diagramsymbol for 555 timeren. NE555's interne blokdiagram vist som et rektangel med fede linjer. Eksempel på et elektronisk kredsløb med en 555 ic. Fotografi af en 556-mikrochip overflade (dobbel 555).
Se Felteffekttransistor og 555 (kreds)
65 nm
65 nanometer (65 nm)-processen er en avanceret litografisk metode der bruges til fremstilling af CMOS Integreret kredsløb.
Se Felteffekttransistor og 65 nm
7400-serierne
skifteregistre i overflademonteret hus loddet på en printplade. Havde disse ICere derimod været 74HCT595, ville de være kompatible med TTL. Produktkodens ekstra "T" signalerer TTL-signalniveau kompatibilitet. 7400-serierne er en fælles betegnelse for en række integrerede kredse indenfor digital elektronik.
Se Felteffekttransistor og 7400-serierne
Også kendt som CMOS, Depletion-mode, Dobbelgate-FET, Drain (tilledning), Enhancement-mode, FET (felteffekttransistor), Gate (tilledning), IGFET, J-FET, JFET, N-kanal, NMOS, Rj-mb, Source (tilledning).