Hurtigere adgang end browser!
11 relationer: Beryllium, Gallium, Germanen, Gunn-diode, Halvlederkomponent, Kvante-Hall-effekten, LDMOS, MMIC, MOSFET, Ohmsk kontakt, Pro Electron.
Beryllium
Beryllium (Be) er et grundstof med atomnummeret 4.
Ny!!: Galliumarsenid og Beryllium · Se mere »
Gallium
Gallium er et grundstof med symbolet Ga og atomnummer 31 i det periodiske system.
Ny!!: Galliumarsenid og Gallium · Se mere »
Germanen
Germanen eller germanén er et materiale der er gjort af et enkelt lag af germaniumatomer.
Ny!!: Galliumarsenid og Germanen · Se mere »
Gunn-diode
Eksempel på en Gunn-diode med benævnelsen 3А703Б. En grov approksimation af VI-kurven for en Gunn-diode, visende den negativ differentiel modstands-område. En Gunn-diode – også kendt som en transferred electron device (TED) er en form for diode anvendt i højfrekvens elektronik.
Ny!!: Galliumarsenid og Gunn-diode · Se mere »
Halvlederkomponent
husets hulning. Et integreret kredsløb hvis indpakning er brækket af så man kan se selve halvledermikrochippen på under 1*1 mm med bonding-ledninger nedenfor chippen. Halvlederkomponenter er elektroniske komponenter som benytter elektroniske egenskaber af halvledermaterialer – for det meste silicium.
Ny!!: Galliumarsenid og Halvlederkomponent · Se mere »
Kvante-Hall-effekten
Kvante Hall-effekten er en kvantemekanisk version af Hall-effekten, som observeres i 2-dimensionelle systemer af elektroner udsat for lave temperaturer og stærke magnetfelter, i hvilken Hall-ledningsevnen σ kun antager kvantiserede værdier: hvor e er elementarladningen og h er Planck's konstant.
Ny!!: Galliumarsenid og Kvante-Hall-effekten · Se mere »
LDMOS
Eksempel på to LDMOS-transistorer i ét hus (produktkode BLF861A). Bemærk de brede tilledninger. Grunden til deres bredde er, at radiofrekvensstrømme kun løber i overfladen af metaller. Så for at minske tilledningsresistansen gøres de så brede som et kompromis mellem resistanstab og pris. Eksempel på en monteret LDMOS-transistorchip (produktkode BLF2045). Drain er foroven (flest påsvejsede små bonding-ledere) og gate forneden. Metalpladen under mikrochippen er source. En LDMOS-transistor (akronym for laterally diffused metal oxide semiconductor) er en effekt-MOSFET-transistor variant, der anvendes i mikrobølge/RF-effektforstærkere.
Ny!!: Galliumarsenid og LDMOS · Se mere »
MMIC
Fotografi af en firebenet MMIC med produktkoden MSA-0686, der er en DC–800 MHz forstærker. Fotografi af en GaAs MMIC (en 2–18 GHz opkonverter). MMIC (kan udtales mimik) er akronym for Monolithic Microwave Integrated Circuit, som er en type af integrerede kredsløb (IC) enhed, der kan arbejde ved mikrobølge frekvenser (300 MHz til 300 GHz).
Ny!!: Galliumarsenid og MMIC · Se mere »
MOSFET
|- align.
Ny!!: Galliumarsenid og MOSFET · Se mere »
Ohmsk kontakt
En ohmsk kontakt eller ohmsk overgang er en ikke-ensrettende-overgang: En elektrisk overgang mellem to ledere, der har en linear strøm-spænding (I-V) kurve som i Ohms lov.
Ny!!: Galliumarsenid og Ohmsk kontakt · Se mere »
Pro Electron
Pro Electron er det Europæiske typebenævnelse og registreringssystem for aktive komponenter (såsom halvledere, LCD, sensorer, elektronrør og billedrør).
Ny!!: Galliumarsenid og Pro Electron · Se mere »
Omdirigeringer her:
GaAs.
