Indholdsfortegnelse
12 relationer: Bipolar transistor, Elektrode, Ensretter, Faststoffysik, Halvleder, Halvlederkomponent, Metal, Ohmsk kontakt, Pn-overgang, Rumladningsområde, Schottky-diode, Transistor.
- Halvlederstrukturer
Bipolar transistor
Billedet viser to silicium transistor-chips (ca. 1*1 mm) i samme hus, der er klippet op, så chipene er synlige. Husnavnet er enten TO39 eller TO5. Stregerne foroven er en millimeterskala. Nutidige siliciumbaserede bipolare transistorer. Oversiden af den bipolare effekt radiofrekvenstransistor BFQ34.
Se Metal-halvleder-overgang og Bipolar transistor
Elektrode
En teslaspoleelektrode. En lynafleder er også en elektrode. Lynaflederen fortsætter nedad højre side af tårnet. En elektrode er en tilledning, som anvendes til at lave en elektrisk forbindelse til en ikke-metallisk del af et elektrisk kredsløb som f.eks.
Se Metal-halvleder-overgang og Elektrode
Ensretter
En diodebrokobling eller Graetz-kobling er et eksempel på en 1-faset ensretter. Foroven ses den sinusformede vekselspændingskurve foroven før og forneden efter en 1-faset diodebrokobling, men uden udglatning. En ensretter er en elektronisk komponent – eller et elektronisk kredsløb, som kun tillader strømmen at løbe en vej gennem sig.
Se Metal-halvleder-overgang og Ensretter
Faststoffysik
Faststoffysik (engelsk: solid state physics) er det område af fysikken, som omhandler stoffets makroskopiske, fysiske egenskaber, i den faste tilstandsform, som optræder, når antallet af elementer er stort, og der er stærk interaktionen mellem dem.
Se Metal-halvleder-overgang og Faststoffysik
Halvleder
hus. Overfladen man ser er ikke silicium, men derimod myriader af små ledningsbaner påført i overfladen (og også i flere underliggende lag adskilt af kvarts) af guld og aluminium. Ledningsbanerne forbinder transistorer, dioder som ligger en smule dybere – typisk under isolerende kvartslag (SiO2) med kvartsfrie øer, hvor banerne her har elektrisk kontakt.
Se Metal-halvleder-overgang og Halvleder
Halvlederkomponent
husets hulning. Et integreret kredsløb hvis indpakning er brækket af så man kan se selve halvledermikrochippen på under 1*1 mm med bonding-ledninger nedenfor chippen. Halvlederkomponenter er elektroniske komponenter som benytter elektroniske egenskaber af halvledermaterialer – for det meste silicium.
Se Metal-halvleder-overgang og Halvlederkomponent
Metal
Metallet gallium. Metal er en fællesbetegnelse for metalliske grundstoffer eller legeringer heraf.
Se Metal-halvleder-overgang og Metal
Ohmsk kontakt
En ohmsk kontakt eller ohmsk overgang er en ikke-ensrettende-overgang: En elektrisk overgang mellem to ledere, der har en linear strøm-spænding (I-V) kurve som i Ohms lov.
Se Metal-halvleder-overgang og Ohmsk kontakt
Pn-overgang
En pn-overgang eller np-overgang er en grænseflade mellem to typer af halvledere; p-type og n-type, inden i ét enkelt krystal af halvleder.
Se Metal-halvleder-overgang og Pn-overgang
Rumladningsområde
Øverst: pn-overgang før ladningsdiffusion.Nederst: Efter ligevægt er opnået. Øverst: Hul- og elektron-koncentrationer i pn-overgangen.Anden fra øverst: Ladningstætheder.Tredje: Elektrisk felt.Nederst: Elektrisk potential. Metal–oxid–halvleder struktur på P-type silicium.
Se Metal-halvleder-overgang og Rumladningsområde
Schottky-diode
Diagramsymbol for en Schottky-diode. En silicium (Si)-baseret Schottky-diode er en halvleder-diode med et lavt spændingsfald i lederetningen og en meget kort reverse recovery-tid i forhold til almindelige dioder.
Se Metal-halvleder-overgang og Schottky-diode
Transistor
Nutidige silicium-baserede transistorer i forskellige huse; fra venstre mod højre: TO-92, TO-18, TO-5/TO-39, TO-220 og TO-202. "TO" står for ''transistor outline''. Ældre germanium-baserede punkt-kontakt transistorer mest med typenumre, der starter med OC.
Se Metal-halvleder-overgang og Transistor
Se også
Halvlederstrukturer
- Kvanteø
- Metal-halvleder-overgang
- Ohmsk kontakt
- Pn-overgang
- Rumladningsområde
Også kendt som Metal-halvleder-forbindelse, Metal-halvleder-forbindelser, Metal-halvleder-overgange, Ms-overgang.