Indholdsfortegnelse
41 relationer: Bølgelængde, Bell Labs, Bipolar transistor, Blitz, Delokaliseret elektron, Diffusion, Diode, Elektricitet, Elektrisk felt, Elektrisk spænding, Elektron, Elektronhul, Felteffekttransistor, Fotodiode, Foton, Fototransistor, Germanium, Halvleder, Halvleder-mikrochip, Halvlederkomponent, Infrarød stråling, Integreret kredsløb, Kapacitetsdiode, Kobberoxid, Laserdiode, Lysdiode, Lysleder, Raspberry Pi, Resistans, Rumladningsområde, Schottky-diode, Selen, Silicium, Siliciumkarbid, Solcelle, Specifik ledningsevne, Transistor, Varme, Zenerdiode, 1N4001 og 1N5400 diode-serierne, 1N4148.
- Halvlederstrukturer
Bølgelængde
Illustration af bølgelængde. Bølgelængden er den rummelige afstand mellem gentagne enheder af en bølge.
Bell Labs
Bell Labs tidligere forskningshovedkvarter Nokia Bell Labs (tidligere Bell Labs eller Bell Telephone Laboratories) har været en af verdens væsentligste forsknings- og udviklingsinstitutioner inden for telekommunikation, elektronik og datalogi.
Bipolar transistor
Billedet viser to silicium transistor-chips (ca. 1*1 mm) i samme hus, der er klippet op, så chipene er synlige. Husnavnet er enten TO39 eller TO5. Stregerne foroven er en millimeterskala. Nutidige siliciumbaserede bipolare transistorer. Oversiden af den bipolare effekt radiofrekvenstransistor BFQ34.
Se Pn-overgang og Bipolar transistor
Blitz
En løs elektronisk blitzenhed Den øverste billede er taget med en svag blitz. Billedet nedenfor er taget med tilstrækkelig blitz. En blitz eller en flash er en ekstra lyskilde, man benytter ved fotografering for at kompensere for manglende eller uheldigt lys.
Delokaliseret elektron
Elektrongas er et begreb brugt i kemien, der beskriver elektronernes bevægelighed i metallers metalgitter.
Se Pn-overgang og Delokaliseret elektron
Diffusion
Diffusion er spredning af molekyler fra høj til lav koncentration.
Diode
brokobling. Ældre germaniumbaserede punktkontaktdioder. url-status.
Elektricitet
Ved elektricitet forstås en række fysiske fænomener forbundet ved en tilstedeværelse og en strøm af elektrisk ladede partikler.
Se Pn-overgang og Elektricitet
Elektrisk felt
punktladning. Jo større afstand, jo svagere bliver feltet. Et elektrisk felt \vec er inden for den klassiske elektromagnetisme et felt, der beskriver den elektriske kraft \vec pr.
Se Pn-overgang og Elektrisk felt
Elektrisk spænding
Elektrisk spænding er et udtryk for den energi, som afgives eller optages pr.
Se Pn-overgang og Elektrisk spænding
Elektron
En elektron er en subatomar elementarpartikel.
Elektronhul
Et elektronhul eller bare hul er indenfor fysik og specielt indenfor halvlederfysik, kvasipartikler med masse, elektrisk ladning, bevægelsesmængde, spin og energi.
Felteffekttransistor
Transistoren i illustrationen er en JFET med JIS-halvledertypebenævnelsesproduktkoden 2SK170. Kun K170 kan aflæses på det sorte hus TO-92. Effekttransistoren er en effekt MOSFET med Pro Electron produktkoden BUZ24 og transistorens mikrochip er pakket ind et TO-3 hus. En felteffekttransistorer (FET) er en af flere transistortyper, som er elektriske komponenter indlejret i en mikrochip og pakket ind i et hus med typisk tre eller fire tilledninger (også kaldet ben).
Se Pn-overgang og Felteffekttransistor
Fotodiode
En Fotodiode En fotodiode er en halvlederdiode (en elektronisk komponent) med to tilledninger, som er beregnet til at fungere som en fotodetektor.
Foton
stående bølger i rummet af elektroner og atomkernen. Fotonen er den elementarpartikel, der er ansvarlig for elektromagnetiske fænomener, eksempelvis elektromagnetisk stråling som røntgenstråling, ultraviolet lys, synligt lys, infrarødt lys, mikrobølger og radiobølger.
Fototransistor
NPN-fototransistor diagramsymbol. Fototransistor (kvadratisk silicium-chip i midten) med basis (Ringstruktur, bonding-metaltråde). Fototransistor En fototransistor er en lysfølsom transistor.
Se Pn-overgang og Fototransistor
Germanium
Germanium er det 32. grundstof i det periodiske system, og har det kemiske symbol Ge.
Halvleder
hus. Overfladen man ser er ikke silicium, men derimod myriader af små ledningsbaner påført i overfladen (og også i flere underliggende lag adskilt af kvarts) af guld og aluminium. Ledningsbanerne forbinder transistorer, dioder som ligger en smule dybere – typisk under isolerende kvartslag (SiO2) med kvartsfrie øer, hvor banerne her har elektrisk kontakt.
Halvleder-mikrochip
To silicium transistor-chips (ca. 1*1 mm) i samme hus. Husnavnet er enten TO39 eller TO5. Stregerne foroven er en millimeterskala. En NE555-halvleder-mikrochip med chip-tilledninger. Halvlederskiver (eng. ''wafer'') med forskellige diametre af halvlederen silicium med silicium-chips med indlejrede komponenter, før de skilles i enkelt-chips og sættes i hvert deres hus.
Se Pn-overgang og Halvleder-mikrochip
Halvlederkomponent
husets hulning. Et integreret kredsløb hvis indpakning er brækket af så man kan se selve halvledermikrochippen på under 1*1 mm med bonding-ledninger nedenfor chippen. Halvlederkomponenter er elektroniske komponenter som benytter elektroniske egenskaber af halvledermaterialer – for det meste silicium.
Se Pn-overgang og Halvlederkomponent
Infrarød stråling
Billede af en hund taget i det termisk infrarøde strålingsområde MIR (falske farver). Bemærk at øjnene, munden og lidt af ørene er kuldebroer, da de leder/stråler varmen fra kroppen væsentligt bedre end pelsen. UV, lys og infrarøde absorption og transmission.
Se Pn-overgang og Infrarød stråling
Integreret kredsløb
UV-lys. Et integreret kredsløb, også kaldet IC (fra eng. integrated circuit) er et elektronisk kredsløb bestående af adskillige komponenter på et lille stykke halvledende materiale fx en mikrochip, der ofte er indbygget i et beskyttende hus, på hvilket forbindelsesterminaler er placeret.
Se Pn-overgang og Integreret kredsløb
Kapacitetsdiode
Kapacitetsdiode symbol. En kapacitetsdiode (eller varactor-diode) er en halvlederkomponent som har en kondensatorvirkning, der ændres som funktion af spændingen over den.
Se Pn-overgang og Kapacitetsdiode
Kobberoxid
Kobberoxid har flere betydninger.
Laserdiode
En laserdiode pakket ind i et metalhus med en mønt som baggrund. Laserdiode En laserdiode er en speciel form for diode af halvleder-materiale, af nogenlunde samme slags som i lysdioder.
Lysdiode
En blå laveffekt-lysdiode set fra siden. Lysdiode-chippen er nede i det højre bens hulning, som også virker som reflektor. Det højre ben fungerer også som køleplade. Billede af laveffekt-lysdioder. Den lilla tonede lysdiode er en infrarød lysdiode. Lysdiodesymbol Et eksempel højeffekt-lysdiode, som kan tåle op til 3W med den rette køling.
Lysleder
Nærbillede af uindpakkede optiske fibre ledende synligt hvidt lys. Her præsenteres 3 forskellige optiske fiber typer med deres fordele og ulemper. Det første glasbaserede fibre har en ydre diameter på 0,380 mm – og de 2 sidste kendte og udbredte fibre har en diameter på 0,125 mm, hvilket er det samme som 125 µm.'''Øverste''': Den lysledende kerne i fiberet er 0,2 mm (200 µm).
Raspberry Pi
Raspberry Pi 4 B, introduceret juni 2019. Den har 1,5 GHz 64-bit quad core ARM Cortex-A72. Raspberry Pi 2. Raspberry Pi tilsluttet og "pakket" ind i Lego. Printkort oversigt med angivelse at delarealbrug. Diagram der viser software kildekode tilgængelig. Raspberry Pi 4, Raspberry Pi 3, Raspberry Pi 2 og Raspberry Pi er single-board computere på størrelse med et kreditkort.
Se Pn-overgang og Raspberry Pi
Resistans
Resistans måles i enheden ohm, der angives med det græske bogstav Ω (store Omega) Fænomenet resistans, ohmsk modstand eller elektrisk modstand er en egenskab ved elektriske ledere, som forårsager et vist tab af elektrisk energi, i form af varmeudvikling, når man sender en elektrisk strøm igennem dem.
Rumladningsområde
Øverst: pn-overgang før ladningsdiffusion.Nederst: Efter ligevægt er opnået. Øverst: Hul- og elektron-koncentrationer i pn-overgangen.Anden fra øverst: Ladningstætheder.Tredje: Elektrisk felt.Nederst: Elektrisk potential. Metal–oxid–halvleder struktur på P-type silicium.
Se Pn-overgang og Rumladningsområde
Schottky-diode
Diagramsymbol for en Schottky-diode. En silicium (Si)-baseret Schottky-diode er en halvleder-diode med et lavt spændingsfald i lederetningen og en meget kort reverse recovery-tid i forhold til almindelige dioder.
Se Pn-overgang og Schottky-diode
Selen
Selen (forkortes Se) er et grundstof med atomnummer 34.
Silicium
Silicium, på dansk også kaldet kisel, er grundstoffet med atomnummeret 14 og symbolet Si.
Siliciumkarbid
Et stykke siliciumkarbid Siliciumkarbid, også kaldt karborundum, carborundum, har den kemiske forkortelse SiC, som består af silicium og carbon.
Se Pn-overgang og Siliciumkarbid
Solcelle
|- align.
Specifik ledningsevne
Specifik konduktivitet, specifik ledningsevne eller elektrisk konduktivitet σ er en egenskab ved elektriske ledere.
Se Pn-overgang og Specifik ledningsevne
Transistor
Nutidige silicium-baserede transistorer i forskellige huse; fra venstre mod højre: TO-92, TO-18, TO-5/TO-39, TO-220 og TO-202. "TO" står for ''transistor outline''. Ældre germanium-baserede punkt-kontakt transistorer mest med typenumre, der starter med OC.
Varme
Varme er i streng forstand et udtryk for, at termisk energi bliver transporteret over en systemgrænse, men i daglig tale lader man ofte, som om varme er det samme som termisk energi.
Zenerdiode
Zenerdiode (2,7V, 5,6V) og Avalanchediode (5,6V, 8,2V) karakteristikker/grafer. Avalanchedioder kaldes også for zenerdioder. Bemærk at 8,2V zenerdiodens venstre stejle hældning viser, at den her har en lavere indre modstand. 6,2V og især 2,7V zenerdioderne venstre mindre stejle hældning viser, at deres indre modstand her er større.
1N4001 og 1N5400 diode-serierne
En 1N4001 diode 1N4001-serien (eller 1N4000 serien) er en populær familie af 1,0 ampere bredt anvendelige silicium-baserede ensretterdioder almindeligevis anvendt i AC-netdele til almindelige husholdningsanvendelser.
Se Pn-overgang og 1N4001 og 1N5400 diode-serierne
1N4148
1N4148 er en standard silicium switching diode.
Se også
Halvlederstrukturer
Også kendt som NP-overgang, NP-zone.