Hurtigere adgang end browser!
41 relationer: Bølgelængde, Bell Labs, Bipolar transistor, Blitz, Delokaliseret elektron, Diffusion, Diode, Elektricitet, Elektrisk felt, Elektrisk spænding, Elektron, Elektronhul, Felteffekttransistor, Fotodiode, Foton, Fototransistor, Germanium, Halvleder, Halvleder-mikrochip, Halvlederkomponent, Infrarød stråling, Integreret kredsløb, Kapacitetsdiode, Kobberoxid, Laserdiode, Lysdiode, Lysleder, Raspberry Pi, Resistans, Rumladningsområde, Schottky-diode, Selen, Silicium, Siliciumkarbid, Solcelle, Specifik ledningsevne, Transistor, Varme, Zenerdiode, 1N4001 og 1N5400 diode-serierne, 1N4148.
Bølgelængde
Illustration af bølgelængde. Bølgelængden er den rummelige afstand mellem gentagne enheder af en bølge.
Ny!!: Pn-overgang og Bølgelængde · Se mere »
Bell Labs
Bell Labs tidligere forskningshovedkvarter Nokia Bell Labs (tidligere Bell Labs eller Bell Telephone Laboratories) har været en af verdens væsentligste forsknings- og udviklingsinstitutioner inden for telekommunikation, elektronik og datalogi.
Ny!!: Pn-overgang og Bell Labs · Se mere »
Bipolar transistor
Billedet viser to silicium transistor-chips (ca. 1*1 mm) i samme hus, der er klippet op, så chipene er synlige. Husnavnet er enten TO39 eller TO5. Stregerne foroven er en millimeterskala. Nutidige siliciumbaserede bipolare transistorer. Oversiden af den bipolare effekt radiofrekvenstransistor BFQ34. Undersiden af den bipolare effekt radiofrekvenstransistor BFQ34. En bipolar transistor (BJT, Bipolar Junction Transistor) er en af flere transistortyper, som er elektriske komponenter indlejret i en mikrochip og pakket ind i et hus med typisk tre tilledninger (også kaldet ben).
Ny!!: Pn-overgang og Bipolar transistor · Se mere »
Blitz
En løs elektronisk blitzenhed Den øverste billede er taget med en svag blitz. Billedet nedenfor er taget med tilstrækkelig blitz. En blitz eller en flash er en ekstra lyskilde, man benytter ved fotografering for at kompensere for manglende eller uheldigt lys.
Ny!!: Pn-overgang og Blitz · Se mere »
Delokaliseret elektron
Elektrongas er et begreb brugt i kemien, der beskriver elektronernes bevægelighed i metallers metalgitter.
Ny!!: Pn-overgang og Delokaliseret elektron · Se mere »
Diffusion
Diffusion er spredning af molekyler fra høj til lav koncentration.
Ny!!: Pn-overgang og Diffusion · Se mere »
Diode
brokobling. Ældre germaniumbaserede punktkontaktdioder. url-status.
Ny!!: Pn-overgang og Diode · Se mere »
Elektricitet
Ved elektricitet forstås en række fysiske fænomener forbundet ved en tilstedeværelse og en strøm af elektrisk ladede partikler.
Ny!!: Pn-overgang og Elektricitet · Se mere »
Elektrisk felt
punktladning. Jo større afstand, jo svagere bliver feltet. Et elektrisk felt \vec er inden for den klassiske elektromagnetisme et felt, der beskriver den elektriske kraft \vec pr.
Ny!!: Pn-overgang og Elektrisk felt · Se mere »
Elektrisk spænding
Elektrisk spænding er et udtryk for den energi, som afgives eller optages pr.
Ny!!: Pn-overgang og Elektrisk spænding · Se mere »
Elektron
En elektron er en subatomar elementarpartikel.
Ny!!: Pn-overgang og Elektron · Se mere »
Elektronhul
Et elektronhul eller bare hul er indenfor fysik og specielt indenfor halvlederfysik, kvasipartikler med masse, elektrisk ladning, bevægelsesmængde, spin og energi.
Ny!!: Pn-overgang og Elektronhul · Se mere »
Felteffekttransistor
Transistoren i illustrationen er en JFET med JIS-halvledertypebenævnelsesproduktkoden 2SK170. Kun K170 kan aflæses på det sorte hus TO-92. Effekttransistoren er en effekt MOSFET med Pro Electron produktkoden BUZ24 og transistorens mikrochip er pakket ind et TO-3 hus. En felteffekttransistorer (FET) er en af flere transistortyper, som er elektriske komponenter indlejret i en mikrochip og pakket ind i et hus med typisk tre eller fire tilledninger (også kaldet ben).
Ny!!: Pn-overgang og Felteffekttransistor · Se mere »
Fotodiode
En Fotodiode En fotodiode er en halvlederdiode (en elektronisk komponent) med to tilledninger, som er beregnet til at fungere som en fotodetektor.
Ny!!: Pn-overgang og Fotodiode · Se mere »
Foton
stående bølger i rummet af elektroner og atomkernen. Fotonen er den elementarpartikel, der er ansvarlig for elektromagnetiske fænomener, eksempelvis elektromagnetisk stråling som røntgenstråling, ultraviolet lys, synligt lys, infrarødt lys, mikrobølger og radiobølger.
Ny!!: Pn-overgang og Foton · Se mere »
Fototransistor
NPN-fototransistor diagramsymbol. Fototransistor (kvadratisk silicium-chip i midten) med basis (Ringstruktur, bonding-metaltråde). Fototransistor En fototransistor er en lysfølsom transistor.
Ny!!: Pn-overgang og Fototransistor · Se mere »
Germanium
Germanium er det 32. grundstof i det periodiske system, og har det kemiske symbol Ge.
Ny!!: Pn-overgang og Germanium · Se mere »
Halvleder
hus. Overfladen man ser er ikke silicium, men derimod myriader af små ledningsbaner påført i overfladen (og også i flere underliggende lag adskilt af kvarts) af guld og aluminium. Ledningsbanerne forbinder transistorer, dioder som ligger en smule dybere – typisk under isolerende kvartslag (SiO2) med kvartsfrie øer, hvor banerne her har elektrisk kontakt. Solceller består af en udelt skive. gruppe 13 og 16 (hovedgruppe III og VI) i flere lag, hvilket anvendes ved indlejrede komponenter som f.eks. transistorer, dioder og ledningsbaner. Monokrystallinsk silicium-halvlederstang inden den skæres i skiver med en diamantsav og poleres. Halvledere er materialer, der har en elektrisk ledningsevne, der ligger mellem de ledende materialer og de isolerende.
Ny!!: Pn-overgang og Halvleder · Se mere »
Halvleder-mikrochip
To silicium transistor-chips (ca. 1*1 mm) i samme hus. Husnavnet er enten TO39 eller TO5. Stregerne foroven er en millimeterskala. En NE555-halvleder-mikrochip med chip-tilledninger. Halvlederskiver (eng. ''wafer'') med forskellige diametre af halvlederen silicium med silicium-chips med indlejrede komponenter, før de skilles i enkelt-chips og sættes i hvert deres hus. Overfladen man ser er ikke silicium, men derimod myriader af små ledningsbaner påført i overfladen (og også i flere underliggende lag adskilt af kvarts) af guld og aluminium. Ledningsbanerne forbinder transistorer, dioder som ligger en smule dybere – typisk under isolerende kvartslag (SiO2) med kvartsfrie øer, hvor banerne her har elektrisk kontakt. Solceller består af en udelt skive. gruppe 13 og 16 (hovedgruppe III og VI) i flere lag, hvilket anvendes ved indlejrede komponenter som f.eks. transistorer, dioder og ledningsbaner. Monokrystallinsk silicium-halvlederstang inden den skæres i skiver med en diamantsav og poleres. En halvleder-mikrochip eller halvlederbrik (kortere mikrochip, chip; engelsk: Die) er indenfor halvlederteknologi betegnelsen for selve halvlederkomponenten uden hus.
Ny!!: Pn-overgang og Halvleder-mikrochip · Se mere »
Halvlederkomponent
husets hulning. Et integreret kredsløb hvis indpakning er brækket af så man kan se selve halvledermikrochippen på under 1*1 mm med bonding-ledninger nedenfor chippen. Halvlederkomponenter er elektroniske komponenter som benytter elektroniske egenskaber af halvledermaterialer – for det meste silicium.
Ny!!: Pn-overgang og Halvlederkomponent · Se mere »
Infrarød stråling
Billede af en hund taget i det termisk infrarøde strålingsområde MIR (falske farver). Bemærk at øjnene, munden og lidt af ørene er kuldebroer, da de leder/stråler varmen fra kroppen væsentligt bedre end pelsen. UV, lys og infrarøde absorption og transmission. Infrarødt billede af en isbjørn. Infrarødt billede af en slange som spiser en mus. Infrarød stråling (IR) er elektromagnetisk stråling, som har længere bølgelængde end synligt lys men kortere end mikrobølgestråling.
Ny!!: Pn-overgang og Infrarød stråling · Se mere »
Integreret kredsløb
UV-lys. Et integreret kredsløb, også kaldet IC (fra eng. integrated circuit) er et elektronisk kredsløb bestående af adskillige komponenter på et lille stykke halvledende materiale fx en mikrochip, der ofte er indbygget i et beskyttende hus, på hvilket forbindelsesterminaler er placeret.
Ny!!: Pn-overgang og Integreret kredsløb · Se mere »
Kapacitetsdiode
Kapacitetsdiode symbol. En kapacitetsdiode (eller varactor-diode) er en halvlederkomponent som har en kondensatorvirkning, der ændres som funktion af spændingen over den.
Ny!!: Pn-overgang og Kapacitetsdiode · Se mere »
Kobberoxid
Kobberoxid har flere betydninger.
Ny!!: Pn-overgang og Kobberoxid · Se mere »
Laserdiode
En laserdiode pakket ind i et metalhus med en mønt som baggrund. Laserdiode En laserdiode er en speciel form for diode af halvleder-materiale, af nogenlunde samme slags som i lysdioder.
Ny!!: Pn-overgang og Laserdiode · Se mere »
Lysdiode
En blå laveffekt-lysdiode set fra siden. Lysdiode-chippen er nede i det højre bens hulning, som også virker som reflektor. Det højre ben fungerer også som køleplade. Billede af laveffekt-lysdioder. Den lilla tonede lysdiode er en infrarød lysdiode. Lysdiodesymbol Et eksempel højeffekt-lysdiode, som kan tåle op til 3W med den rette køling. Udover at lysdiode-chippen skal kunne tåle høj effekt, skal chippen også have en god varmekobling med den underliggende varmeledende metalplade, som igen skal kobles på en køleplade og/eller heat-spreader. Selve lysdiode-chippen (firkantet) i en grøn laveffekt-lysdiode. Lysdiode-chippen er ca. 0,5*0,5 mm, men kan være større eller mindre. De to tynde ultralyd påsvejsede tilledninger er typisk lavet af aluminium. En lysdiode (eng. LED for light-emitting diode), IR-diode eller UV-diode er en ensretterdiode (elektronisk komponent) og en transducer, som omsætter elektrisk energi til et smalt bølgelængdeinterval i et af følgende områder: Infrarødt (NIR, 2006: Fra ca. 7µm), synligt eller nær-ultraviolet (2018: ned til 245nm) lys.
Ny!!: Pn-overgang og Lysdiode · Se mere »
Lysleder
Nærbillede af uindpakkede optiske fibre ledende synligt hvidt lys. Her præsenteres 3 forskellige optiske fiber typer med deres fordele og ulemper. Det første glasbaserede fibre har en ydre diameter på 0,380 mm – og de 2 sidste kendte og udbredte fibre har en diameter på 0,125 mm, hvilket er det samme som 125 µm.'''Øverste''': Den lysledende kerne i fiberet er 0,2 mm (200 µm). Fordelen ved denne "store" kerne er at det er lettere at få sendt lys ind i den. Almindelige lysdiodechips kan anvendes. Fibre med dette design kaldes multi-mode fibre (MMF).'''Midterste''': Den lysledende kerne i fiberet er mellem 50-100 µm (typisk 50 µm eller 62,5 µm, ca. tykkelsen af et stykke papir). Fordelen ved denne kerne er, at det er forholdsvis let at få sendt lys ind i den. Almindelige lysdiodechips kan anvendes, men tolerancerne er små. Fibre med dette design kaldes multi-mode fibre (MMF).'''Nederste''': Den lysledende kerne i fiberet er mellem 8-10 µm (ca. 10 kerner svarer til tykkelsen af et stykke papir). Fordelen ved denne kerne er at lysflanker kun tværes lidt ud langs fiberens længde. Ulempen er at det er "svært" at få sendt lys ind i den. Almindelige lysdiodechips kan normalt ikke anvendes, så diodelaserchips anvendes i stedet. Tolerancerne er meget små. Fibre med dette design kaldes single-mode fibre (SMF). Fotografi af et fotonisk fiber som pga. ulinearitet ændrer lysets bølgelængde ned langs fiberen.http://www.sciencedaily.com/releases/2004/05/040521071505.htm 2004-05-24, Sciencedaily: Tightly Focused Laser Light Generates Nonlinear Effects And Rainbow Of Color Citat: "..."supercontinuum generation in nonlinear fibers." The phenomenon can be observed in a new class of optical fibers, called photonic crystal fibers. PCFs consist of a tiny solid glass core surrounded by a cladding, or casing, that contains air holes along the length of the fiber...As the IR light propagates, or spreads, through a 1-meter-long fiber, the light appears, first orange, then yellow and finally green...The visible lightwaves emerge from the fiber as white light, which contains all the colors of the spectrum..." En lysleder eller et optisk fiber, også kaldt fibernet, er lavet af glas eller plastik og er designet til at transportere data som lysimpulser langs det indre af fiberens kerne.
Ny!!: Pn-overgang og Lysleder · Se mere »
Raspberry Pi
Raspberry Pi 4 B, introduceret juni 2019. Den har 1,5 GHz 64-bit quad core ARM Cortex-A72. Raspberry Pi 2. Raspberry Pi tilsluttet og "pakket" ind i Lego. Printkort oversigt med angivelse at delarealbrug. Diagram der viser software kildekode tilgængelig. Raspberry Pi 4, Raspberry Pi 3, Raspberry Pi 2 og Raspberry Pi er single-board computere på størrelse med et kreditkort.
Ny!!: Pn-overgang og Raspberry Pi · Se mere »
Resistans
Resistans måles i enheden ohm, der angives med det græske bogstav Ω (store Omega) Fænomenet resistans, ohmsk modstand eller elektrisk modstand er en egenskab ved elektriske ledere, som forårsager et vist tab af elektrisk energi, i form af varmeudvikling, når man sender en elektrisk strøm igennem dem.
Ny!!: Pn-overgang og Resistans · Se mere »
Rumladningsområde
Øverst: pn-overgang før ladningsdiffusion.Nederst: Efter ligevægt er opnået. Øverst: Hul- og elektron-koncentrationer i pn-overgangen.Anden fra øverst: Ladningstætheder.Tredje: Elektrisk felt.Nederst: Elektrisk potential. Metal–oxid–halvleder struktur på P-type silicium. Indenfor halvlederfysik er et halvleder spærrelag, rumladningsområde eller en rumladningszone et isolerende område indeni i et elektrisk ledende doteret halvledermateriale, hvor de mobile ladningsbærere er diffunderet væk - eller er blevet elektrostatisk drevet væk af et elektrisk felt.
Ny!!: Pn-overgang og Rumladningsområde · Se mere »
Schottky-diode
Diagramsymbol for en Schottky-diode. En silicium (Si)-baseret Schottky-diode er en halvleder-diode med et lavt spændingsfald i lederetningen og en meget kort reverse recovery-tid i forhold til almindelige dioder.
Ny!!: Pn-overgang og Schottky-diode · Se mere »
Selen
Selen (forkortes Se) er et grundstof med atomnummer 34.
Ny!!: Pn-overgang og Selen · Se mere »
Silicium
Silicium, på dansk også kaldet kisel, er grundstoffet med atomnummeret 14 og symbolet Si.
Ny!!: Pn-overgang og Silicium · Se mere »
Siliciumkarbid
Et stykke siliciumkarbid Siliciumkarbid, også kaldt karborundum, carborundum, har den kemiske forkortelse SiC, som består af silicium og carbon.
Ny!!: Pn-overgang og Siliciumkarbid · Se mere »
Solcelle
|- align.
Ny!!: Pn-overgang og Solcelle · Se mere »
Specifik ledningsevne
Specifik konduktivitet, specifik ledningsevne eller elektrisk konduktivitet σ er en egenskab ved elektriske ledere.
Ny!!: Pn-overgang og Specifik ledningsevne · Se mere »
Transistor
Nutidige silicium-baserede transistorer i forskellige huse; fra venstre mod højre: TO-92, TO-18, TO-5/TO-39, TO-220 og TO-202. "TO" står for ''transistor outline''. Ældre germanium-baserede punkt-kontakt transistorer mest med typenumre, der starter med OC. Produktionen af disse foregik med mange manuelle produktionstrin.http://www.thevalvepage.com/trans/manufac/manufac1.htm thevalvepage.com: Manufacture of Junction Transistors, https://web.archive.org/web/20170709132755/http://www.thevalvepage.com/trans/manufac/manufac1.htm backup Effekttransistor i et større hus benævnt TO-3 og med Pro Electron produktkoden BD182. korroderet af salt fra havets skumsprøjt. En transistor er en elektronisk halvlederkomponent til styring af for det meste lave elektriske spændinger og strømme.
Ny!!: Pn-overgang og Transistor · Se mere »
Varme
Varme er i streng forstand et udtryk for, at termisk energi bliver transporteret over en systemgrænse, men i daglig tale lader man ofte, som om varme er det samme som termisk energi.
Ny!!: Pn-overgang og Varme · Se mere »
Zenerdiode
Zenerdiode (2,7V, 5,6V) og Avalanchediode (5,6V, 8,2V) karakteristikker/grafer. Avalanchedioder kaldes også for zenerdioder. Bemærk at 8,2V zenerdiodens venstre stejle hældning viser, at den her har en lavere indre modstand. 6,2V og især 2,7V zenerdioderne venstre mindre stejle hældning viser, at deres indre modstand her er større. Bemærk at x-aksens (vandret) inddeling er forskellig på venstre og højre side af y-aksen. (tryk på grafen for større illustration) En glasindkapslet halvlederzenerdiode. Det skal bemærkes at mange almindelige halvlederdioder benytter samme hus. For at finde ud af om en komponent er en zenerdiode skal man slå en evt. påført produktionskode op. Effektzenerdiode (faktisk en avalanchediode) på mellem 18,8-21,2V. Uden køleplade kan denne effektzenerdiode tåle en effekt på 1 Watt (1 Joule/sekund). Zenerdiode - symbolet bliver også til dels anvendt for avalanchedioder. Avalanchediode - ikke så kendt symbol. En zenerdiode er en elektronisk komponent med egenskaber som normale dioder af halvledertypen i lederetningen.
Ny!!: Pn-overgang og Zenerdiode · Se mere »
1N4001 og 1N5400 diode-serierne
En 1N4001 diode 1N4001-serien (eller 1N4000 serien) er en populær familie af 1,0 ampere bredt anvendelige silicium-baserede ensretterdioder almindeligevis anvendt i AC-netdele til almindelige husholdningsanvendelser.
Ny!!: Pn-overgang og 1N4001 og 1N5400 diode-serierne · Se mere »
1N4148
1N4148 er en standard silicium switching diode.
Ny!!: Pn-overgang og 1N4148 · Se mere »
Omdirigeringer her:
NP-overgang, NP-zone, Np-overgang, PN-overgang.
